作者簡介：
朱晶，研究員，北京國際工程咨詢有限公司專家咨詢師，主要研究方向為集成電路、新一代信息技術、技術經濟學。（此文將在2024年7月《中國集成電路》雜志上刊發）
摘要
集成電路產業作為數字經濟時代的基礎底座技術，既是大國競爭的戰略焦點，也是我國加快發展新質生產力的關鍵所在。然而面對外部挑戰，我國集成電路產業出現一定程度的產業內卷化傾向。規避產業內卷，是中國集成電路產業高質量發展必須正視和研究解決的重大問題。
引言
當前，中國已進入創新驅動發展的關鍵時期，新一輪科技革命和產業變革正在加速演進，集成電路產業面臨的內外部環境日趨復雜，盡快突破集成電路領域的“卡脖子”關鍵核心技術，加強基礎研究等原始創新能力的提升，這是關系我國發展全局的重大問題，也是支撐新質生產力發展的關鍵。然而當前我國集成電路產業仍面臨著技術的低效創新大量存在、以及低水平投入過密化、產品盤踞中低端等“內卷化”的局面；為此，如果不主動破解這種造成大量低效競爭的產業內卷，將嚴重影響我國集成電路產業打贏關鍵核心技術攻堅戰、走向高質量發展之路。
產業“內卷化”的定義與內涵
最早，“內卷”作為一種現象，國外學者如德國的康德，美國的戈登威澤、吉爾茨等分別從哲學、人類學、經濟學等層面給出了不同解讀。另外，國內有關“內卷化”的研究被眾多學者廣泛集中在精準扶貧、社區治理、農民工交往、制度變遷、教育發展等社會生活領域[1][2]。總之，不同領域的學者將“內卷化”發展作為一個應用范圍不斷擴展的解釋性工具，用來闡釋廣泛存在的“沒有發展的增長”等現象。
其中，胡振雄[3]首次對于技術創新領域可能存在的“內卷化”現象進行闡述，其認為：①技術體系“內卷化”的定義是指由于自身資源稟賦以及創新能力的限制，且受外部壁壘的阻隔和排擠，難以實現對外擴張；②技術創新“內卷化”的內涵是指大量創新資源被迫投入到向內發展，持續進行有數量無質量的低水平再生產導致的一個無發展或少量發展的過程。
近年來，我國新能源、新一代信息技術等戰略性新興產業也出現了“內卷化”的現象。根據上述“內卷化”的相關研究，我們基本上可以給出“內卷化”的基本定義：即指產業內部為爭奪有限資源而最終導致投入與產出嚴重不成比例，難以使產業發展破除壁壘、演進到更高形態，而是低水平的重復。
毫無疑問，“內卷化”是無序競爭，而集成電路產業是一個產業鏈復雜，對基礎創新要求高、周期長、風險大的產業；所以，“內卷化”則會導致企業陷入價格戰泥潭，缺乏賴以支持研發投入的足夠利潤，只能進行低水平的技術創新，而屏蔽或放棄具有變革性的技術創新特別是長周期的創新，使得產業總體盈利狀況不佳，全要素生產率不升反降，抑制真正的高質量發展。
我國集成電路產業發展中的“內卷化”研究
應該看到，隨著我國集成電路產業發展進入換擋提質階段，產業“內卷化”的問題日益突出。
2.1 我國集成電路產業發展中“內卷化”情況
當前，我國在集成電路產業鏈的幾乎所有環節都呈現出不同程度的內卷。盡管各細分領域的產業特點不盡相同，但“內卷化”比較共性的特征包括產業發展“有量無質”，基礎創新“動力不足”以及產品供給“結構失衡”等等。
2.1.1設計業內卷情況
集成電路設計業主要特點是智力密集、輕資產結構、產品線覆蓋范圍廣，這些產業特點導致設計業的創業門檻相對較低，技術創新擴散也相對容易，因此成為目前“內卷化”程度最高的產業環節。設計業“內卷化”主要表現在：
一是競爭主體規模小。根據中國半導體行業協會集成電路設計分會統計，截至目前，國內涉及的集成電路設計企業數量為3451家，超過55%的企業銷售收入不足1000萬元，超過80%的企業是人數少于100人的小微企業。
二是低端化競爭嚴重。如表1所示，根據2023年上半年已經上市的108家設計企業的半年報數據，108家企業中虧損的企業數量高達42家，2022年設計領域全部上市企業的總營收和總凈利潤分別是美國上市芯片企業（設計+IDM企業）的12.7%和5.3%，平均利潤率相差近3倍。低利潤率的原因在于大量設計企業在產品端缺乏差異化創新，只能進行價格戰，同時企業數量短時間內大量擴張引發人才和供應鏈資源的激烈“爭奪”，造成成本的快速上漲。
三是企業抗風險能力差。我國設計企業大量涌現于2020年前后，這時正值產業處于國產替代化、市場需求高，以及科創板上市預期高，加上資本市場關注度高的“三高”狀態。但隨著2023年全球半導體行業進入下行周期，大量企業缺乏對市場周期性變化的應對經驗，造成高庫存高負債引發的高風險。
2.1.2制造業內卷情況
集成電路制造業的主要特點是資本和技術密集、重資產結構。以28納米為分界點，28納米以下的先進工藝競爭主要由技術創新和資本投入驅動，而28納米及以上的成熟工藝競爭更多由成本控制和運營能力驅動。制造業相比其他產業環節對資本的需求更高，這導致制造業內卷是對資金、人才等資源高度內耗的競爭，但近年來由于外部地緣政治導致技術升級受阻、國產替代需求引發地方政府競爭等多種因素影響，制造業也出現了一定程度的內卷。主要表現在：
一是我國集成電路成熟工藝擴產速度和擴產主體數量全球第一。根據美國市場機構Gartner的數據，2023-2027年韓國、日本和美國三國12寸成熟工藝代工產能年均復合增長率均為負值或零增長，幾乎放棄了在成熟工藝產能上的投入，而中國大陸則是增長最快（年均復合增長率超過8%）的區域，同時也是擴產主體最多（超過25家）的區域。
二是我國集成電路產能擴充集中在90納米-28納米工藝節點。根據Gartner數據，2023-2027年我國90納米-28納米成熟工藝代工產能在全部成熟工藝代工產能中擴產規模最快，達到11.1%（見表2）。另外根據美國“集微咨詢”數據，目前我國已經建成和在建的規劃產能基本以90納米-28納米成熟工藝為主。2027年，90納米-28納米成熟工藝產能在我國總產能中占比將達到57.9%。
三是我國集成電路成熟工藝平臺競爭力依然不強。盡管我國大量制造企業集中在90納米-28納米的產能擴充，但是整體在工藝平臺上的競爭力依然不足。例如28納米嵌入式閃存（eFlash）工藝和新一代嵌入式磁性隨機存取存儲器/嵌入式電阻式存儲器（eMRAM/eRRAM）工藝的能力儲備不足，車規級工藝無法滿足國內智駕芯片實際需求，高壓雙極型-互補金屬氧化半導體-雙擴散金屬氧化半導體工藝（BCD）相比韓國東部高科（DB Hitek）、中國臺灣的臺積電而言仍不是國內設計企業的首選。
2.1.3支撐業內卷情況
集成電路支撐業主要包括半導體設備、材料和零部件產業，屬于集成電路制造、設計和封裝三大主業的上游供應鏈環節，主要特點是尖端技術密集、多學科交叉融合、產品碎片化特征明顯、研發周期長等。這些產業特點其實不容易引起產業“內卷化”，尤其是高度碎片化產品結構和尖端技術的稀缺會在一定程度上去“內卷化”。但隨著我國集成電路產業鏈供應鏈安全穩定體系建設的推進，國產替代化將越來越吸引著更多企業進入到這個領域，也會在部分領域形成“內卷化”的局面。主要體現在：
一是結構性“內卷化”為主。集成電路支撐業的“內卷化”集中在熱點品類上，例如硅片長晶設備；半導體前道設備中的濕法、薄膜、化學機械拋光（CMP）設備及耗材、熱處理、量檢測設備、后道設備中的ATE、劃片機等；半導體材料里的大硅片、特氣和化學品、陶瓷基板等；零部件和子系統中的AMHS（自動化物料搬運系統）、閥門、泵、硅結構件、EFEM（半導體設備前端模塊）、石英件等。幾乎每個領域國內企業數量都超過10家，最多的領域高達四五十家。而在部分技術難度較高，國內研發資源有限，或者國內龍頭企業優勢已經非常明顯的領域，例如涂膠顯影設備、離子注入設備、PVD（物理氣相沉積設備）、靜電吸盤等領域，則鮮少看到“內卷化”的發生。
二是“大廠”強主導的格局加速“內卷化”。由于半導體設備、材料和零部件子系統企業高度依賴下游制造、封裝、集成設計制造（IDM）企業等“大廠”資源，而“大廠”出于供應鏈安全和自身業務考慮，對供應鏈企業有排他性要求，或產品上有一定的特殊性，導致無法滿足行業通用需求。這就造成每個“大廠”都致力于培育自身的供應鏈體系，而供應鏈企業也很難將市場規模做大，變相地加速了行業整體的“內卷化”。
2.1.4化合物半導體業內卷情況
化合物半導體業，尤其是碳化硅（SiC）行業，是近年來發展最為快速的非硅基材料行業。主要特點是IDM模式為主，相比硅基芯片的制造，SiC制造投資規模不大、投入產出比高、折舊壓力不大，加上新能源汽車、光伏等領域的蓬勃發展為碳化硅行業注入了強大的動力，因此據半導體綜研統計數據，這個領域快速吸引了全球超過百家企業（107家）布局，其中大陸地區碳化硅器件企業數量達到70家，屬于高度“內卷化”的細分領域。主要體現在：
一是產業鏈全面“內卷化”。碳化硅產業鏈不復雜，比較核心的是襯底、外延、器件模組以及針對碳化硅的一些專用設備和材料。目前國內在碳化硅全產業鏈都出現了高度內卷的狀態，據半導體綜研統計數據，相對技術門檻較高的襯底和SiC MOSFET領域也都集中了40-50家廠商。
二是低端產品同質化嚴重。碳化硅產業鏈相比集成電路產業鏈復雜度較低，產品更加標準化，因此大量企業集聚很容易導致中低端產品的同質化，當前國內在6寸SiC襯底、外延以及SiC SBD領域都因為充分競爭而大打價格戰。例如，根據集微咨詢數據，2023年開始由于國內6寸SiC襯底產能大量釋放，國內一線供應商已將碳化硅襯底價格下調近30%。而國際6寸碳化硅襯底的價格一直保持穩定，國際供應商的報價維持在750~800美元。
2.2 集成電路產業“內卷化”的原因分析
造成我國集成電路產業“內卷化”的原因涵蓋國際地緣政治變化、資本市場推動、地方政府競爭等多方面原因。
一是資本加速擴張導致的同質化競爭。國際地緣政治變化，加速了國產化替代進程；同時，疊加科創板對半導體等硬科技的青睞有加，使得從2019年起資本加速擴張進入半導體產業。根據云岫資本提供數據，2021年半導體產業一級市場股權投資總額從2019年的約300億元直接飆升5倍達到1500億元，并且2021年融資規模超過5億元的企業超過50家。芯片設計公司投入成本較小，回報周期較短，且市場空間大，在行業高速發展期天然地受資本歡迎，2020年設計企業被投數量占全部半導體投資數量的接近70%。
二是地方政府各自為政引發的重復建設。在我國集成電路產業發展的大潮中，地方政府扮演了重要的角色，尤其是近年來集成電路的國家戰略屬性不斷增強，自然成為地方政府布局的重點。尤其是集成電路制造、封裝、化合物半導體等重資產行業，與地方政府對“重投資”的偏好高度契合，此外由于考核導向、職責要求和思維慣性等原因，加之缺乏專業性的技術知識，催化了地方政府盲目跟風半導體產業的沖動。隨著越來越多的地方政府設立引導基金進入半導體行業，出臺專項招商引資政策，地方政府各自為政帶來的內卷化自然無法避免[4]。
三是技術因素決定的被動內卷。迄今為止，我國集成電路核心技術仍受制于人，因此很多企業不得不戰略性放棄需要長期投入的技術創新，轉而開始橫向競爭，而在中低端技術領域搶占盡可能大的市場份額，成為企業謀求生存發展的重要策略。這種放棄“向上逐頂”轉而“向下逐底”的競爭策略，加速了全行業的被動內卷。
四是產業并購整合不力。并購重組是推動集成電路產業提高集中度、去“內卷化”較為常見的方式之一。我國臺灣的存儲器產業、美國電子設計自動化 （EDA）、圖形處理器（GPU）產業都曾高度“內卷”，但由于有良好健全的并購機制，逐步演進迭代形成了當前相對集中的產業格局。隨著資本市場逐步回歸冷靜，當前我國集成電路產業有望迎來一波并購機遇，但相較國外成熟、活躍的并購市場，我國的企業家、資本市場、中介服務機構、相關監管機構對于產業并購的理解和實踐仍需長期的學習和提高，產業并購機制不健全、缺乏專業規范的中介機構、企業文化沖突、政府干預過多等多方面原因，使得并購整合尚未能成為集成電路產業去“內卷化”的主要手段。
我國集成電路產業“內卷化”的影響分析
集成電路產業作為數字經濟時代的基礎底座技術，既是大國競爭的戰略焦點，也是我國加快實現新時期經濟“高質量發展”的核心所在。當前我國集成電路產業正處于技術能級亟需“向上突破”的關鍵期，產業“內卷化”帶來的大量企業利潤長期穩步不前或下降、產業要素內耗嚴重、資金投入效率低下等影響，將成為我國集成電路產業高質量發展的主要障礙。
一是人才資源內耗嚴重。產業“內卷化”勢必會帶來嚴重的人才內耗，尤其是對于制造業、設備材料業這些本就人才總量嚴重不足，高端人才捉襟見肘的領域傷害更大。近年來國內的“建廠潮”，導致制造業人員離職率居高不下，如表5所示，近4年制造業人員離職率持續在15%以上，是臺積電人才流失率的2-3倍。而國內制造業龍頭中芯國際在2020年、2021年兩個“建廠”大年，人員離職率相比國內制造業平均水平高出5個百分點。
二是資金投入效率低下。產業“內卷化”帶來全行業資金投入效率下降。對于企業而言，為了“卷”而長期將資金投入到無需大量創新的成熟技術代上，無疑強化了技術低水平重復再生產的自我鎖定發展模式，降低了資金投入的直接效益。對于產業而言，大量盤踞在中低端的企業扎堆進入，造成了資金的分散與極大浪費。對于政府而言，部分地區秉持“你有我也有，你給我也給”原則盲目攀比優惠政策，造成嚴重財政負擔的同時進行低水平重復建設[5]。更有部分地區在盲目投資沖動下，出現“百億、千億級半導體大項目停擺”現象，前期的巨額投入付之東流。
三是陷入中等技術陷阱。所謂“中等技術陷阱”指的是核心技術受制于人，一旦技術轉移的紅利被收割完畢，還未實現技術領域的技術水平提升，又不能成功從應用性技術轉型為原創性技術，那么其技術水平就會進入長期相對停滯的狀態。鑒此，如果產業持續“內卷化”，則會使低水平技術“吞噬”高水平技術的發展空間，不僅帶來高技術投資擠出效應，也會加劇我國集成電路技術高端化躍升的難度，陷入“中等技術陷阱”。
四是企業綜合競爭力退化。在高度“內卷化”競爭中長大的“卷王”企業，更加擅長的是在存量市場里的博弈、拼成本控制、拼效率和服務，但缺乏對技術前瞻性的判斷，對增量市場的開拓，以及富有遠見的戰略能力。長期被“內卷化”的發展邏輯綁架，會使企業產生更強的路徑依賴，不能長足有效地推進自主創新能力的培育和積累，沒有能力躍遷至更高層次的發展形態。當前我國集成電路領域鮮少有具備國際競爭力的跨國企業，全球市場不等于中國市場的自然延展，如果“內卷化”的發展態勢不作出改變，在中國市場“卷”出來的企業，未必能在全球市場上獲得認可。
五是產業發展“浮躁化”。當前我國集成電路產業面臨的環境仍是戰略機遇和風險挑戰并存，一旦滑向過度競爭和“內卷化”，相伴而生的更多是對“十年磨一劍”的技術攻關沒有耐心、過于片面地追求短平快、心態浮躁等問題，很多長期承擔國家重點攻關和基礎研究的機構、企業和人才，也被內卷引發的功利化傾向影響，無法支撐我國集成電路產業真正走上創新與高水平發展的嶄新道路。
我國集成電路產業去“內卷化”的應對建議
“內卷化”已經成為我國集成電路產業高質量發展的主要障礙，破解產業“內卷化”，需要國家抓“內核”、地方破“內耗”、企業強“內功”。主要應對建議包括：
一是切實加大對集成電路企業高質量基礎研究的支持。當前我國集成電路發展環境正在快速變化，同時產業創新發展階段向基礎創新延伸，兩者的變化都對基礎研究提出了更多需求，需要在政策層面主動應變，適當提高對企業開展基礎研究創新的支持力度，始終將創新的質量放在第一位，有效發揮財政資金的引導作用，以基礎研究能力的提升破除集成電路產業的“內卷化”，避免將有限的資金用于低水平技術的數量擴張。
二是憑借我國的制度優勢，加強對地方項目投資的有序引導。引導地方政府進行集成電路產業差異化布局，加快建立產業投資監控機制以遏制地方政府投資沖動，加快探索建立健全決策失誤責任追究制度，加大針對搞重復建設、虛假項目等違規招商行為的責任追究和懲戒力度。對半導體設備、材料和零部件等供應鏈環節的項目啟動“窗口”指導，遏制一窩蜂盲目上馬項目的投資沖動。
三是完善健全符合集成電路產業特點的并購機制。建議抓緊研究促進集成電路企業兼并重組的指導意見，完善集成電路企業兼并重組的相關稅收政策、跨境換股相關政策等，推進完善集成電路企業資產評估指引。針對集成電路標的估值較高，收購方資金不足的問題，研究擴大并購貸款的覆蓋面、推出并購重組專項政府補貼。加強對專業的、一流的并購機構的培育，深化對集成電路產業并購規律的理解，進一步助力集成電路企業按照市場化原則進行重組并購。
四是加快實施更具針對性的知識產權保護。引導集成電路企業增強知識產權運用和知識產權保護意識，根據競爭需要構建關鍵核心技術的“專利池”，加大對商業秘密、技術秘密的保護力度，優化企業知識產權布局，加強知識產權儲備。
參考文獻：
[1]. 盧曉雯.多維視角下的內卷化：研究現狀及概念梳理[J].華中科技大學學報（社會科學版）,2021,35（06）:130-136.
[2]. 杜龍，劉友田.“內卷化”的主流表達、產生根源與消解途徑——基于社會分工理論的分析[J].理論觀察,2023（09）:121-127.
[3]. 胡振雄.內卷化視域下的中國技術創新之路[J].山東行政學院學報,2023（06）:96-104.
[4]. 劉文強，關兵，喬寶華.中國產業內卷化傾向成因及應對策略[EB/OL].//www.thepaper.cn/newsDetail_forward_15867673.2021-12-16/2024-3-20
[5]. 李佐軍，王炳文.如何遏制地方招商不計成本的“內卷化”[EB/OL].//www.thepaper.cn/newsDetail_forward_24140028.2023-08-07/2024-3-20.
